THz emission from semiconductor surfaces : Recent developments in terahertz optoelectronics
Identifieur interne : 005C64 ( Main/Repository ); précédent : 005C63; suivant : 005C65THz emission from semiconductor surfaces : Recent developments in terahertz optoelectronics
Auteurs : RBID : Pascal:08-0281604Descripteurs français
- Pascal (Inist)
English descriptors
- KwdEn :
Abstract
Nous présentons une revue des travaux expérimentaux et théoriques consacrés à l'émission de rayonnement térahertz par des surfaces de matériaux semi-conducteurs éclairées par des impulsions lasers de durée femtoseconde. Les principaux mécanismes d'émission THz sont analysés. L'émission THz rayonnée par InAs et Ge est due à l'effet Dember optique associé à du redressement optique. Nous étudions la structure de bande électronique et les phénomènes de relaxation des porteurs libres dans InAs, InSb et Ge, en analysant cette émission THz de surface ainsi que des résultats de spectroscopie THz d'absorption.
Links toward previous steps (curation, corpus...)
- to stream Main, to step Corpus: 006974
Links to Exploration step
Pascal:08-0281604Le document en format XML
<record><TEI><teiHeader><fileDesc><titleStmt><title xml:lang="en" level="a">THz emission from semiconductor surfaces : Recent developments in terahertz optoelectronics</title><author><name sortKey="Malevich, Vitalij L" uniqKey="Malevich V">Vitalij L. Malevich</name><affiliation wicri:level="1"><inist:fA14 i1="01"><s1>Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, F. Skaryna Ave. 68</s1><s2>220072 Minsk</s2><s3>BLR</s3><sZ>1 aut.</sZ></inist:fA14><country>Biélorussie</country><wicri:noRegion>220072 Minsk</wicri:noRegion></affiliation></author><author><name sortKey="Adomavicius, Ramunas" uniqKey="Adomavicius R">Ramunas Adomavicius</name><affiliation wicri:level="1"><inist:fA14 i1="02"><s1>Semiconductor Physics Institute</s1><s2>01108 Vilnius</s2><s3>LTU</s3><sZ>2 aut.</sZ><sZ>3 aut.</sZ></inist:fA14><country>Lituanie</country><wicri:noRegion>Semiconductor Physics Institute</wicri:noRegion></affiliation></author><author><name sortKey="Krotkus, Arunas" uniqKey="Krotkus A">Arunas Krotkus</name><affiliation wicri:level="1"><inist:fA14 i1="02"><s1>Semiconductor Physics Institute</s1><s2>01108 Vilnius</s2><s3>LTU</s3><sZ>2 aut.</sZ><sZ>3 aut.</sZ></inist:fA14><country>Lituanie</country><wicri:noRegion>Semiconductor Physics Institute</wicri:noRegion></affiliation><affiliation wicri:level="1"><inist:fA14 i1="03"><s1>Department of Semiconductor Physics, Vilnius University</s1><s2>10222 Vilnius</s2><s3>LTU</s3><sZ>3 aut.</sZ></inist:fA14><country>Lituanie</country><wicri:noRegion>10222 Vilnius</wicri:noRegion></affiliation></author></titleStmt><publicationStmt><idno type="inist">08-0281604</idno><date when="2008">2008</date><idno type="stanalyst">PASCAL 08-0281604 INIST</idno><idno type="RBID">Pascal:08-0281604</idno><idno type="wicri:Area/Main/Corpus">006974</idno><idno type="wicri:Area/Main/Repository">005C64</idno></publicationStmt><seriesStmt><idno type="ISSN">1631-0705</idno><title level="j" type="main">Comptes rendus. Physique</title></seriesStmt></fileDesc><profileDesc><textClass><keywords scheme="KwdEn" xml:lang="en"><term>Band structure</term><term>Binary compounds</term><term>Dember effect</term><term>Elemental semiconductors</term><term>Free carrier</term><term>Germanium</term><term>Indium Arsenides</term><term>Optical materials</term><term>Radiation emission</term><term>THz range</term></keywords><keywords scheme="Pascal" xml:lang="fr"><term>Effet Dember</term><term>Domaine fréquence THz</term><term>Structure bande</term><term>Composé binaire</term><term>Indium Arséniure</term><term>Matériau optique</term><term>Porteur libre</term><term>Germanium</term><term>Semiconducteur élémentaire</term><term>Emission rayonnement</term><term>InAs</term><term>Ge</term><term>As In</term><term>InSb</term><term>0757H</term><term>4270N</term></keywords></textClass></profileDesc></teiHeader><front><div type="abstract" xml:lang="fr">Nous présentons une revue des travaux expérimentaux et théoriques consacrés à l'émission de rayonnement térahertz par des surfaces de matériaux semi-conducteurs éclairées par des impulsions lasers de durée femtoseconde. Les principaux mécanismes d'émission THz sont analysés. L'émission THz rayonnée par InAs et Ge est due à l'effet Dember optique associé à du redressement optique. Nous étudions la structure de bande électronique et les phénomènes de relaxation des porteurs libres dans InAs, InSb et Ge, en analysant cette émission THz de surface ainsi que des résultats de spectroscopie THz d'absorption.</div></front></TEI><inist><standard h6="B"><pA><fA01 i1="01" i2="1"><s0>1631-0705</s0></fA01><fA05><s2>9</s2></fA05><fA06><s2>2</s2></fA06><fA08 i1="01" i2="1" l="ENG"><s1>THz emission from semiconductor surfaces : Recent developments in terahertz optoelectronics</s1></fA08><fA11 i1="01" i2="1"><s1>MALEVICH (Vitalij L.)</s1></fA11><fA11 i1="02" i2="1"><s1>ADOMAVICIUS (Ramunas)</s1></fA11><fA11 i1="03" i2="1"><s1>KROTKUS (Arunas)</s1></fA11><fA14 i1="01"><s1>Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, F. Skaryna Ave. 68</s1><s2>220072 Minsk</s2><s3>BLR</s3><sZ>1 aut.</sZ></fA14><fA14 i1="02"><s1>Semiconductor Physics Institute</s1><s2>01108 Vilnius</s2><s3>LTU</s3><sZ>2 aut.</sZ><sZ>3 aut.</sZ></fA14><fA14 i1="03"><s1>Department of Semiconductor Physics, Vilnius University</s1><s2>10222 Vilnius</s2><s3>LTU</s3><sZ>3 aut.</sZ></fA14><fA20><s1>130-141</s1></fA20><fA21><s1>2008</s1></fA21><fA23 i1="01"><s0>ENG</s0></fA23><fA24 i1="01"><s0>fre</s0></fA24><fA43 i1="01"><s1>INIST</s1><s2>116E</s2><s5>354000183099640010</s5></fA43><fA44><s0>0000</s0><s1>© 2008 INIST-CNRS. All rights reserved.</s1></fA44><fA45><s0>33 ref.</s0></fA45><fA47 i1="01" i2="1"><s0>08-0281604</s0></fA47><fA60><s1>P</s1></fA60><fA61><s0>A</s0></fA61><fA64 i1="01" i2="2"><s0>Comptes rendus. Physique</s0></fA64><fA66 i1="01"><s0>FRA</s0></fA66><fC01 i1="01" l="FRE"><s0>Nous présentons une revue des travaux expérimentaux et théoriques consacrés à l'émission de rayonnement térahertz par des surfaces de matériaux semi-conducteurs éclairées par des impulsions lasers de durée femtoseconde. Les principaux mécanismes d'émission THz sont analysés. L'émission THz rayonnée par InAs et Ge est due à l'effet Dember optique associé à du redressement optique. Nous étudions la structure de bande électronique et les phénomènes de relaxation des porteurs libres dans InAs, InSb et Ge, en analysant cette émission THz de surface ainsi que des résultats de spectroscopie THz d'absorption.</s0></fC01><fC02 i1="01" i2="3"><s0>001B00G57H</s0></fC02><fC02 i1="02" i2="3"><s0>001B40B70N</s0></fC02><fC03 i1="01" i2="3" l="FRE"><s0>Effet Dember</s0><s5>03</s5></fC03><fC03 i1="01" i2="3" l="ENG"><s0>Dember effect</s0><s5>03</s5></fC03><fC03 i1="02" i2="3" l="FRE"><s0>Domaine fréquence THz</s0><s5>37</s5></fC03><fC03 i1="02" i2="3" l="ENG"><s0>THz range</s0><s5>37</s5></fC03><fC03 i1="03" i2="3" l="FRE"><s0>Structure bande</s0><s5>41</s5></fC03><fC03 i1="03" i2="3" l="ENG"><s0>Band structure</s0><s5>41</s5></fC03><fC03 i1="04" i2="3" l="FRE"><s0>Composé binaire</s0><s5>50</s5></fC03><fC03 i1="04" i2="3" l="ENG"><s0>Binary compounds</s0><s5>50</s5></fC03><fC03 i1="05" i2="3" l="FRE"><s0>Indium Arséniure</s0><s2>NC</s2><s2>NA</s2><s5>51</s5></fC03><fC03 i1="05" i2="3" l="ENG"><s0>Indium Arsenides</s0><s2>NC</s2><s2>NA</s2><s5>51</s5></fC03><fC03 i1="06" i2="3" l="FRE"><s0>Matériau optique</s0><s5>57</s5></fC03><fC03 i1="06" i2="3" l="ENG"><s0>Optical materials</s0><s5>57</s5></fC03><fC03 i1="07" i2="X" l="FRE"><s0>Porteur libre</s0><s5>61</s5></fC03><fC03 i1="07" i2="X" l="ENG"><s0>Free carrier</s0><s5>61</s5></fC03><fC03 i1="07" i2="X" l="SPA"><s0>Portador libre</s0><s5>61</s5></fC03><fC03 i1="08" i2="3" l="FRE"><s0>Germanium</s0><s2>NC</s2><s5>62</s5></fC03><fC03 i1="08" i2="3" l="ENG"><s0>Germanium</s0><s2>NC</s2><s5>62</s5></fC03><fC03 i1="09" i2="3" l="FRE"><s0>Semiconducteur élémentaire</s0><s5>63</s5></fC03><fC03 i1="09" i2="3" l="ENG"><s0>Elemental semiconductors</s0><s5>63</s5></fC03><fC03 i1="10" i2="X" l="FRE"><s0>Emission rayonnement</s0><s5>64</s5></fC03><fC03 i1="10" i2="X" l="ENG"><s0>Radiation emission</s0><s5>64</s5></fC03><fC03 i1="10" i2="X" l="SPA"><s0>Emisión radiación</s0><s5>64</s5></fC03><fC03 i1="11" i2="3" l="FRE"><s0>InAs</s0><s4>INC</s4><s5>71</s5></fC03><fC03 i1="12" i2="3" l="FRE"><s0>Ge</s0><s4>INC</s4><s5>72</s5></fC03><fC03 i1="13" i2="3" l="FRE"><s0>As In</s0><s4>INC</s4><s5>75</s5></fC03><fC03 i1="14" i2="3" l="FRE"><s0>InSb</s0><s4>INC</s4><s5>83</s5></fC03><fC03 i1="15" i2="3" l="FRE"><s0>0757H</s0><s4>INC</s4><s5>84</s5></fC03><fC03 i1="16" i2="3" l="FRE"><s0>4270N</s0><s4>INC</s4><s5>85</s5></fC03><fN21><s1>175</s1></fN21></pA></standard></inist></record>Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)
EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Main/Repository
HfdSelect -h $EXPLOR_STEP/biblio.hfd -nk 005C64 | SxmlIndent | more
Ou
HfdSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Main/Repository/biblio.hfd -nk 005C64 | SxmlIndent | more
Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri
{{Explor lien
|wiki= *** parameter Area/wikiCode missing ***
|area= IndiumV3
|flux= Main
|étape= Repository
|type= RBID
|clé= Pascal:08-0281604
|texte= THz emission from semiconductor surfaces : Recent developments in terahertz optoelectronics
}}
| This area was generated with Dilib version V0.5.77. |  |